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引言 在逻辑电路中，为了克服短沟道效应，场效应晶体管(FET)从平面FET变为FinFET。以对于FinFETs的缩放，增加鳍高度以增加沟道宽度。然而，抑制模式倾斜对于进一步增加高度变得至关重要。 由于栅极(GAA)fe可以获得更大的沟道宽度，所以其应用比FinFETs更广泛。对于选择性SiGe蚀刻硅，目前湿法和干法蚀刻已被广泛研究。与湿法蚀刻相比，干法蚀刻在减圆方面具有优势。然而，圆的形成机理尚未阐明，了解这一机理对进一步还原圆具有重要意义。 实验与讨论 实验程序如图1所示。首先，对SiGe/Si堆叠层进行外延生长，并在这个SiGe/Si堆栈上创建了二氧化硅（sio2）空间图案。然后用氯气（cl2）基等离子体和电子回旋共振等离子体（ECR）蚀刻器对SiGe/Si堆栈进行各向异性蚀刻，并创建了5级堆叠的SiGe/Si图案。 在各向异性蚀刻过程中，英思特利用晶片偏置功率为450 W的高离子能量获得了垂直蚀刻轮廓。然后，在各向同性SiGe蚀刻之前，将这些图案浸在氟化氢水溶液（HF浸渍）中以去除天然氧化层。最后，使用无晶片偏置功率的ECR蚀刻器进行各向同性SiGe蚀刻。
图1：5层堆叠硅图案制备实验程序
接下来，英思特利用透射电镜研究SiGe凹槽和圆化量对蚀刻时间的依赖性。图2显示了从15秒到120秒的不同蚀刻时间的结果。SiGe凹陷随时间的增加呈线性增加。这表明SiGe层是被三氟化氮等离子体连续蚀刻的。 然而，随着刻蚀时间的增加，圆化量增加，并在15s后在约2.5 nm处饱和。这表明圆化主要形成于各向同性SiGe蚀刻的初始阶段，即蚀刻时间小于15s。我们还改变了同位素蚀刻条件，即增加工艺压力和增加晶片温度，并创建了一个超过20nm的SiGe凹槽。 然而，在所有的蚀刻条件下，圆化量都在2.4~2.8nm范围内，由于各向同性的蚀刻条件，几乎保持不变。由此，得出圆化的主要原因不是由于各向同性蚀刻，而是它之前的过程导致的。
图2：各向同性SiGe蚀刻过程中SiGe凹槽和圆角量的蚀刻时间依赖性
结论
英思特研究了各向同性GAA-FET蚀刻后形成的圆机理。我们发现，SiGe/Si图案的圆化主要形成于各向同性SiGe刻蚀的初始阶段。根据这些结果，英思特提出了一个形成模型，在该锗层中，Ge的组成在各向同性刻蚀之前具有梯度，而由Ge组成引起的SiGe刻蚀速率的差异导致了圆化，各向同性蚀刻前凝胶层的形成是各向同性SiGe蚀刻后圆化形成的主要原因之一。
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发表于 2023-12-25 15:26:32
