MOS ESD

木色

Mos管做esd时，要求漏端到poly的距离大于源端。原因解释如下：
  增到漏极的con到gate的间距，作用1：增加各个单元的分布式镇流电阻、让整个ESD mos管更均匀的导通。作用2：在ESD电流泄放的时候，电流是通过D往S、sub跑的，此时D-sub结上有电压、大电流，就会有大功耗、发热，短时间足以使D-sub结区域的体硅温度升高到使con融化的高温（也就是450都左右即可）。加大漏极的con到gate的间距，可以使con远离发热区。作用3：拉大漏区可以增大漏区电阻，这样寄生的BJT可有更高的点位，使BJT导通，可以更快的泄放掉漏端的大电流。
为什么源极孔到gate的间距不需要加大这么多呢?
因为源极到发热的D-sub结间有低浓度的沟道区，导热系数较低；相反的漏极孔到D-sub结是高浓度漏区，甚至是有salicide（硅化物）导热系数大得多。

populaa

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