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[资料] HF:H2O2:CH3COOH中Si、Si1−xGex和Ge的湿式化学蚀刻

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发表于 2023-3-22 11:05:42 | 显示全部楼层 |阅读模式
今天,整个互补金属氧化物半导体社区正在寻找解决方案,以满足国际半导体技术路线图的要求。过程诱导应变技术目前被广泛应用于6545 nm节点技术,以提高短器件的迁移率。然而,对于32 nm及以下,激进的设计规则降低了这类技术的效率,而这种“局部应变方法”还不足以满足驱动电流方面的ITRS路线图要求。为了弥补这一点,晶片级张力应变绝缘体上硅方法在今天得到了广泛的关注。为了弥补这一点,晶片级张力应变绝缘体上方法在今天得到了广泛的关注。绝缘体上的硅已经出现在高性能、低功率和射频应用的路线图上,这被视为静电和动态助推器解决方案,由于改进的阈下摆动为完全耗尽的设备,较小的寄生元件,并且,在部分耗尽的技术中,对浮动的身体效应。张力应变硅增强了n型金属氧化物半导体场效应晶体管,1-3中的电子迁移率,而在单轴上,压缩应变Si通道增加了p型金属氧化物半导体场效应晶体管的空穴迁移率4 SiGe在硅上的异质外延是获得这种应变结构的一种很有前途的途径。硅和锗之间晶格参数的差异产生了弹性应变层。


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工程师助理

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发表于 2023-12-30 21:46:08 | 显示全部楼层
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