BST薄膜的湿法化学刻蚀工艺对于热电红外探测器的应用

小英说半导体

铁电材料已被广泛研究，用于下一代集成动态存取存储器（DRAM）和非冷却红外焦平面阵列（UFPA）。在众多的铁电体中，（Ba，Sr）TiO3（BST）薄膜由于其优良的性能，包括高介电常数、低介电损耗、小泄漏电流和与成分相关的库里温，被认为是应用铁电材料的主要候选材料之一。为了实现涉及BST薄膜的高度集成的硅基微电子器件，应开发BST薄膜的蚀刻技术。