[求助] cascode结构的GaN FET的优劣势？

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发表于 2023-5-30 21:02:08 | 显示全部楼层 |阅读模式

Cascode结构(Si MOS+D-mode GaN FET)理论上是不能发挥GaN器件高频，高温的特性，但为什么PI和NXP先后推出cascode的GaN管呢？这种结构和E-mode相比有和优势？（除了驱动可以用Si基MOS的以外）

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