[求助] ESD 高压保护问题请教

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发表于 2023-11-7 14:29:42 | 显示全部楼层 |阅读模式

条件: diode_A diode_B HVPMOS
BV/Vt1 33v 31v 33v
当PAD对VSSD放正电时,
PHV上得到达33V时,HVPMOS才会起作用,
但这时,已经达到diode_B的击穿电压,
那么diode_B会被击穿吗?从而让HVPMOS管不能正常保护?

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